ABD’li teknoloji şirketi IBM, yarı iletken sektöründe önemli bir gelişmeye imza atarak dünyanın ilk 1 nanometre altı çip teknolojisini açıkladı. Yorktown Heights, New York merkezli olarak 25 Haziran 2026 tarihinde yapılan duyuruya göre, 0,7 nanometre (7 angstrom) düğümünde geliştirilen bu teknoloji, geleneksel çip ölçekleme sınırlarını aşmayı hedefliyor. Geliştirilen yeni yapının; veri işleme, bulut altyapıları, ulaşım sistemleri, kritik altyapılar ve yapay zekâ uygulamalarında kullanılması planlanıyor.
Nanostack mimarisi ile gelen üç boyutlu tasarım
Geliştirilen çip teknolojisi, tırnak büyüklüğündeki bir alana yaklaşık 100 milyar transistör sığdırılmasına olanak tanıyor. Bu oran, şirketin 2021 yılında duyurduğu 2 nanometre çip teknolojisinin yoğunluğunun yaklaşık iki katına denk geliyor. Söz konusu yoğunluk artışı, “nanostack” adı verilen üç boyutlu ve nanosheet tabanlı yeni bir transistör mimarisi sayesinde sağlandı. Nanostack mimarisi, transistörleri dikey olarak üst üste istifleyerek ve kademelendirerek daha fazla bileşenin aynı alana yerleştirilmesini mümkün kılıyor. Ayrıca her katmanda farklı malzeme kombinasyonlarının kullanılmasına izin vererek transistörlerin performans ve güç verimliliğini birbirinden bağımsız olarak optimize ediyor.
Performans ve enerji verimliliğinde yeni dönem: Performans yüzde 50 artıyor
Yayımlanan teknik sonuçlara göre, yeni 0,7 nanometre çip teknolojisinin, şirketin mevcut 2 nanometre çiplerine kıyasla yüzde 50’ye varan oranlarda daha yüksek performans veya yüzde 70’e varan oranlarda daha fazla enerji verimliliği sunması öngörülüyor. Geliştirilen mimarinin CMOS entegrasyonunda ultra ince dielektrik bağlama, çift kanal mühendisliği yeteneği ve işlevsel CMOS evirici operasyonuyla deneysel olarak doğrulandığı bildirildi. VLSI 2026 konferansında sunulan araştırmada ise bu mimarinin SRAM alanında yüzde 40 ölçekleme sağladığı ve gelişmiş yapay zekâ iş yüklerinin yüksek bant genişliği taleplerini karşılayabileceği belirtildi.
Albany tesislerinde geleceğin üretimi planlanıyor
Yarı iletken AR-GE çalışmalarını ABD’nin New York eyaletindeki Albany tesislerinde yürüten IBM, burada Hollanda merkezli yarı iletken ekipman üreticisi ASML tarafından geliştirilen High NA EUV (Yüksek Sayısal Açıklıklı Aşırı Ultraviyole) litografi araçlarını kullanacak. Ultra hassas devre basımına imkan tanıyan bu teknoloji için ABD merkezli Lam Research Corp., Japonya merkezli Tokyo Electron ve Japonya merkezli SCREEN Semiconductor Solutions, Ltd. gibi ortaklarla yeni süreçlerin geliştirilmesi hedefleniyor. IBM Research Direktörü Jay Gambetta, yeni mimariyle birlikte sadece daha küçük transistörler üretmediklerini, çip yapım süreçlerini yeniden yapılandırdıklerini ifade etti.
Kuantum odaklı yeni girişim ve üretim takvimi
Şirket ayrıca, ABD’deki kuantum pulu (wafer) üretimini desteklemek amacıyla Anderon adında bağımsız bir kuantum dökümhanesi kurmayı planladığını açıkladı. Anderon, şirketin kuantum bilişim ve yarı iletken alanındaki uzmanlığından yararlanacak. Yapılan projeksiyonlara göre, nanostack teknolojisinin 1 nanometre altı çip üretiminde ticari olarak kullanılmaya başlanmasının önümüzdeki 5 yıl içinde gerçekleşmesi bekleniyor.
